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簡述脈沖選擇器的原理及重要性

時間:2020-10-13 來源:新特光電 訪問量:2734

脈沖選擇器是一種電控光學開關,用于從快速脈沖序列中提取單個所需的多個脈沖。

大多數(shù)情況下,超短脈沖是由鎖模激光器產(chǎn)生的,以脈沖列的形式,脈沖重復速率在10MHz-10GHz量級。由于各種原因,通常需要從單個脈沖列中提取特定的脈沖,例如只允許特定脈沖通過而阻止其它的脈沖。這可以采用一個脈沖選擇器來實現(xiàn),它是一個電子學控制的光學開關。

脈沖選擇器的原理

如下圖,脈沖激光經(jīng)過棱鏡分為兩束,經(jīng)過格蘭棱鏡后,以一定的偏振態(tài)入射EOM后,由于電致晶體產(chǎn)生電光效應,使出射光發(fā)生偏轉(zhuǎn),以合適偏振態(tài)透過棱鏡;另外一束光在探測器上產(chǎn)生電信號,電信號經(jīng)過調(diào)制器驅(qū)動處理、放大后,給EOM提供驅(qū)動提供參考信號,驅(qū)動根據(jù)參考信號輸出高壓脈沖信號,在調(diào)制器上產(chǎn)生電光效應;

脈沖選擇器

給晶體施加電壓,電場導致晶體中分子發(fā)生取向,呈現(xiàn)各向異性,產(chǎn)生雙折射,使尋常光與非尋常光折射率呈現(xiàn)差異,最終表現(xiàn)光束偏轉(zhuǎn)。折射率變化與電壓呈線性關系的稱為普克爾效應;而常用的非線性晶體KTP被用來做普克爾盒;

目前,普克爾盒常用晶體的半波電壓基本在1000V~1800V之間,但是比較通用的驅(qū)動芯片MOSFET耐壓值大多小于1000V,而MOSFET由于自身工藝導致開關頻率又做不快,通常在幾百KHz,而cmos晶體管的工作頻率可以達到幾十MHz,但是常見管子的耐壓值又比較低,只有700V左右;

一款優(yōu)秀的脈沖選擇系統(tǒng)對于晶體來說,需要考慮半波電壓、工作頻率、透過率等,但是目前最大局限還是半波電壓稍高,給驅(qū)動設計帶來很高的要求。

脈沖選擇器的重要性質(zhì)

根據(jù)不同的應用要求,需要用到脈沖選擇器一些不同的特性:

  • 開關時間(尤其是入射脈沖重復速率高時)

  • 開關的峰值重復速率

  • 透射脈沖的能量損耗

  • 抑制不需要脈沖的程度

  • 光學帶寬(尤其是寬帶脈沖)

  • 色散(尤其是寬帶脈沖,例如,長度小于100fs)

  • 光學非線性(尤其是脈沖峰值功率很高)

  • 開放孔徑的尺寸

  • 外尺寸

  • 對準靈敏度(接受角)

  • 電子學驅(qū)動器的能力

脈沖選擇器的類型

大多數(shù)情況下,脈沖選擇器是電光調(diào)制器或者聲光調(diào)制器,與適合的電子學驅(qū)動器相結(jié)合。如果是電光調(diào)制器件,脈沖選擇器包括普克爾斯盒和一些偏振光學器件,例如薄膜偏振片;普克爾斯盒調(diào)控偏振態(tài),偏振片則根據(jù)脈沖的偏振態(tài)可使其通過或阻止。

聲光脈沖選擇器的原理是施加短的射頻脈沖到聲光調(diào)制器上,將不需要的脈沖反射到別的方向上。反射的脈沖然后通過孔徑,而其它的脈沖則被阻止。

另一種情況下,調(diào)制器的速度都是由脈沖列中脈沖的時間間隔決定的(即,由脈沖源的脈沖重復速率決定),而不是由脈沖長度決定。

脈沖選擇器的電子學驅(qū)動器需要滿足附加的條件。例如,它可以采用光電二極管中產(chǎn)生的信號,感知原始的脈沖列,從而將開關與入射脈沖合成。觸發(fā)信號可在任意時間輸入,電子學裝置會在適當?shù)臅r間作用在開關上使其后面的入射脈沖透過。


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