RTP電光元件——用于電光調(diào)制

RTP晶體(磷酸鈦氧銣,RbTiOPO4)是KTP晶體的同構(gòu)晶體，具有機(jī)械與化學(xué)性能穩(wěn)定、非線性光學(xué)系數(shù)大、電光系數(shù)高、激光損傷閾值高、介電常數(shù)高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應(yīng)低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在非線性和電光領(lǐng)域，中小功率激光器是其重要應(yīng)用市場(chǎng)，例如用來(lái)制造高重復(fù)頻率調(diào)Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG激光器等；電光調(diào)制是RTP晶體的重要功能，利用此功能可用來(lái)制造電光Q開關(guān)、幅度和相位調(diào)制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產(chǎn)品，近年來(lái)，RTP晶體已經(jīng)成為電光Q開關(guān)的熱門材料，廣泛應(yīng)用在工業(yè)激光加工、激光醫(yī)療、激光測(cè)距、科學(xué)勘探、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

RTP是雙軸晶體，在制造電光器件時(shí)，為避免環(huán)境溫度變化對(duì)晶體折射率造成影響，通常采用體積大小與性能參數(shù)一致的兩塊晶體光軸彼此垂直配對(duì)使用。這樣的雙晶結(jié)構(gòu)器件可以在-50℃-+70℃環(huán)境中穩(wěn)定工作 (但需保持兩塊晶體的溫場(chǎng)一致）。同時(shí)，雙晶串聯(lián)使器件的調(diào)制電壓進(jìn)一步減半，使其更加適用于軍用激光測(cè)照器和醫(yī)療激光器。RTP電光元件采用熱補(bǔ)償雙晶結(jié)構(gòu)組裝，其中兩塊匹配的晶體置于傳播軸（X 或 Y）上，其中一塊旋轉(zhuǎn) 90 度（下圖）。

主要優(yōu)勢(shì)

• 低半波調(diào)制電壓需求，使電光元件設(shè)計(jì)更加緊湊

• 高介電常數(shù)和電阻率，上升/下降時(shí)間和脈寬<1ns，可實(shí)現(xiàn)快速操作

• 接收角度寬，工作溫度范圍廣(-50℃~70℃)

• 內(nèi)部質(zhì)量均勻，消光比高，插入損耗小，激光損傷閾值高達(dá)1GW/cm2@1064nm, 10ns脈沖

• 極低的壓電振鈴效應(yīng)，調(diào)制頻率可達(dá)1MHz，配套各種高壓驅(qū)動(dòng)，支持高頻運(yùn)轉(zhuǎn)。

• 無(wú)潮解，易于處理，無(wú)需覆蓋在500~3000nm光譜范圍內(nèi)，很適用于做激光的電光調(diào)制

• 波長(zhǎng)為1064nm時(shí)吸收損耗極低

• 極高的均勻性：電光元件標(biāo)準(zhǔn)通光面可達(dá)15x15mm2

常見(jiàn)應(yīng)用

電光Q開關(guān)、脈沖選擇器、相位調(diào)制器、振幅調(diào)制器、腔倒空器、電光快門、衰減器 & 濾波器。

RTP晶體產(chǎn)品系列

我們的RTP晶體采用獨(dú)特的熔鹽提拉法生長(zhǎng)技術(shù)和鍍膜技術(shù)，是500nm~3000nm光譜范圍內(nèi)電光應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料，配套各種高壓驅(qū)動(dòng)，支持高頻運(yùn)轉(zhuǎn)，出色性能使其成為軍事、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用中各種激光系統(tǒng)的可靠元件。我們提供單個(gè)RTP元件(用于相位調(diào)制器)、熱補(bǔ)償匹配的一對(duì)RTP元件、即插即用電光組件(帶/不帶外殼)，并儲(chǔ)備了充足的優(yōu)質(zhì)原晶，可依使用要求訂制各種RTP晶體電光調(diào)制器件。

RTP晶體電光開光采用溫度補(bǔ)償式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，每個(gè)電光開關(guān)由兩塊RTP晶體構(gòu)成。 由于RTP具有高電阻率(約1012Ω·cm)和高抗光損傷閾值等獨(dú)特性能，RTP晶體電光開關(guān)因此也具備以下優(yōu)異性能:

• 高抗光損傷閾值

• 無(wú)壓電振蕩效應(yīng)

• 低插入損耗

• 自動(dòng)溫度補(bǔ)償

• 不潮解

RTP電光Q開關(guān)典型規(guī)格（典型尺寸）

RTP晶體型號(hào)定義規(guī)則

• 型號(hào)：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W

• Ty ‐  晶體類別: R (RTP)

• D ‐ 電光器件: Q  (電光Q)，M (雙晶結(jié)構(gòu))，或S (單晶結(jié)構(gòu))

• O ‐ 晶體切割方向:  X / Y / Z

• Cr ‐  晶體截面 [mm]

• L ‐  晶體長(zhǎng)度 [mm]

• E ‐  消光比20/23/25/30 [dB]

• W ‐ 工作激光波長(zhǎng) [nm]

備注

• 半波電壓 (HWV) 為標(biāo)稱 ± 15%，標(biāo)準(zhǔn)消光比為 20dB、23dB、25dB、27dB 和 30dB。

• 未安裝的配對(duì)晶體作為標(biāo)準(zhǔn)組件提供。只需在編號(hào)中用M替代Q即可。

• 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品還有其他尺寸和波長(zhǎng)可供選擇。請(qǐng)聯(lián)系我們。

RTP晶體與BBO晶體電光開關(guān)的性能對(duì)比

下圖所表示的是: 在高重復(fù)頻率(30kHz)時(shí),  RTP晶體和BBO晶體電光調(diào)Q開關(guān)的不同動(dòng)作。實(shí)驗(yàn)所采用的BBO晶體開關(guān) 由一塊2.5x2.5x25mm3晶體構(gòu)成, RTP晶體開關(guān)由兩塊6x6x7mm3晶體構(gòu)成。從圖中可以看到, 在30 kHz 下, BBO晶體開關(guān)已經(jīng)出現(xiàn) 明顯的壓電振蕩現(xiàn)象, 而RTP晶體開關(guān)無(wú)振蕩現(xiàn)象。

RTP與KTP晶體性能對(duì)比

主要電光晶體材料的性能比較

iRTP普克爾盒——高性能RTP電光調(diào)制器

RTP屬于KTP晶體系列。RTP具有出色的電光特性和高損傷閾值，是高端激光應(yīng)用的完美解決方案。它非常適合需要高級(jí)特性的應(yīng)用，例如非潮解性、高熱穩(wěn)定性和高重復(fù)率。我們新型iRTP普克爾盒是一款將RTP優(yōu)勢(shì)帶入電光調(diào)制器市場(chǎng)的產(chǎn)品，專為工業(yè)激光應(yīng)用而設(shè)計(jì)。iRTP是一種標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)成解決方案，以標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)普克爾盒的價(jià)格提供高性能電光調(diào)制器。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 更高的損傷閾值，>1GW/cm2

• <1ns快速上升下降沿，窄脈寬

• 非潮解材料

• 低吸收損耗

• 無(wú)振鈴效應(yīng)（至少到350kHz)

• 熱穩(wěn)定性好，10~0℃寬范圍穩(wěn)定使用

典型規(guī)格